半导体光电
周期：双月刊
期刊级别：核心级
国内统一刊号：50-1092/TN
国际标准刊号：1001-5868
主办单位：中国电子科技集团第四十四研究所
主管单位：中国电子科技集团第四十四研究所
期刊简介：
期刊名称：半导体光电
英文名称：Semiconductor Optoelectronics
主办单位：中国电子科技集团第四十四研究所
出版周期：双月
出版地：重庆市
语言种类：中文
期刊尺寸：大16开
国际标准刊号：ISSN 1001-5868
国内统一刊号：CN 50-1092/TN
复合影响因子：0.407
综合影响因子：0.220
历史沿革：
现用刊名：半导体光电
创刊时间：1976
期刊收录：
CA 化学文摘(美)(2011)
SA 科学文摘(英)(2011)
JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2012年计划收录)
中国科学引文数据库(CSCD—2008)
办刊方向：
《半导体光电》主要刊载：半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
读者对象：
《半导体光电》读者对象：为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
《半导体光电》投稿指南：
4征稿须知编辑(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。
(2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。
?(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。
?(4) 关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。
?(5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。
?(6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。
?(7) 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号)：
1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.
2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.
3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.
4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.
5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.
6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.
7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.
8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.
